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整理番号 10   (公開日 2000年10月01日) (カテゴリ 素材情報・通信エレクトロニクス
窒化ガリウム系光・電子デバイス
●内容 GaN系デバイスとしては、これまで主として青色発光素子等の光デバイスの研究を進めてきたが、電子デバイスとしても飽和速度が大きい等の特長があり、こちらの研究も開始している。デバイス設計/結晶成長を東大で行い、デバイスプロセスを企業で行うような共同研究を行いたい。研究対象としては、GaN系FETデバイス、面発光レーザ、量子ドットレーザなどである。なお、最近は次世代フレキシブルエレクトロニクスへの展開をめざして有機デバイスの研究を開始したので、この分野についても共同研究を期待する。特にシリコンと有機半導体の融合デバイスの開発をはかりたい。
●研究者
教授 荒川 泰彦
生産技術研究所 情報・エレクトロニクス系部門
教授 染谷 隆夫
大学院工学系研究科 電気系工学専攻
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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