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整理番号 2115   (公開日 2004年06月08日) (カテゴリ 素材機械情報・通信エレクトロニクス
CVDプロセス解析・リアクター設計に関する研究
●内容 CVDプロセスは、物質移動・伝熱に加え化学反応が重要な役割を果たすため、そのモデル化にはノウハウが必要である。本研究では、実験と量子化学計算を効率よく組み合わせてプロセス開発に有効な総括反応モデルを構築し、実際のCVDプロセスについてリアクターやプロセス条件の設定に援用している。実施例として、ポリシリコンCVD、LSI用Al薄膜のCVD、化合物半導体薄膜のMOCVD などがある。
●研究者
教授 杉山 正和
先端科学技術研究センター 研究部
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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