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整理番号 2116   (公開日 2004年06月08日) (カテゴリ 素材機械情報・通信エレクトロニクス
CVDプロセスの流体シミュレーションに関する研究
●内容 コンピュータのソフト・ハード両面の進歩により、CVDリアクター内部の温度分布や流れ場をシミュレーションにより求めることが比較的容易に行えるようになっている。しかし、化学反応をいかに扱うかについては、反応モデルの構築法も含めてノウハウが広まっていない。本グループでは、光デバイス用化合物半導体薄膜のMOCVDを主な対象として、実験データに基づくリアクター内での製膜速度、組成の分布を予測しており、およそ10%程度の誤差で実験データをシミュレーションで再現することが可能になっ ている。また,CVDにおいては物質移動と化学反応の競争関係、すなわち、律速段階に対する理解が重要である。これらのノウハウをもとに、最適なCVDリアクター形状を提案する試みを行っている。
●研究者
教授 杉山 正和
先端科学技術研究センター 研究部
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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