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整理番号 2201   (公開日 2004年07月30日) (カテゴリ エレクトロニクス
近接場光学に基づいた半導体ウエハナノ欠陥計測技術
●内容 次世代半導体デバイスの製造においては従来のウエハ欠陥検出手法をそのまま用いることが困難であり、この研究室では、近接場光学を用してナノメータレベルの欠陥を計測する技術の開発を進めている。これまでの研究により、微小付着異物をはじめ、絶縁層や基板内部の微小欠陥などに対応できるいくつかの検出方法を考案し、それらについてのシミュレーションおよび実験を行い、膜面上に付着する数10nmサイズの異物の検出、深さ数nmのスクラッチの検出などが可能であることを確認した。この技術の応用を目指し、企業との共同研究を希望している。
●研究者
教授 高橋 哲
先端科学技術研究センター  
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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