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整理番号 2857   (公開日 2005年05月31日) (カテゴリ 素材エレクトロニクス
Shave-off深さ方向分析技術
●内容 この研究室で開発したshave-off 深さ方向分析法は、収束イオンビーム(FIB)の持つ微細加工技術を活用して二次イオン質量分析(SIMS)を行うユニークなものであり、他の深さ方向分析法に比べ、測定対象、分解能、デプスレンジ等において多くの特長を有する。この分析法は、凹凸のある表面、微粒子表面など試料の形状によらず適用が可能であるとともに、異種素材の積層構造であっても絶対スケールによる深さ方向分析が可能である。既に、試作装置を開発し半導体集積回路などを対象に多く分析を行い、深さ方向の分解能が約10 nmと優れていること(理論的には更に改善可能)、分析のデプスレンジが10 nm-50 μmと広いこと、微小な領域(数μm2)の分析が可能であることなどを確認済である。この分析手法は将来の電子デバイス、光学デバイス等の開発に威力を発揮するものと考えられ、この手法の応用に関する共同研究や、具体的に分析したい試料を持つ企業への協力が可能である。
●研究者
教授 尾張 眞則
環境安全研究センター
生産技術研究所 物質・環境系部門
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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