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整理番号 2974   (公開日 2005年08月10日) (カテゴリ 素材機械エレクトロニクス
シリコン・ウェハー深堀技術(Deep RIE)の新展開
〜輪郭描画法によるmmスケールとnmスケールの同時加工〜
●内容 本研究グループではDeep Reactive Ion Etching(DRIE)法により線開口の幅約350nm、幅対深さ比1:107以上のSi深堀技術を確立した。本技術はMEMS(Micro Electro Mechanical System)などへの応用が期待されるが、スループットの向上ならびにエッチング条件の探索条件の緩和、特に、同一の基板上にnmレベルとmmレベルのパターンを同時に加工するための技術開発が、生産性を大きく向上させるための課題であった。この問題を、まずナノ構造部分と大領域部分の輪郭をエッチングし、次いで残りの部分を若干重ねあわせてエッチングする二段階エッチング法により解決した。
光学素子、分析用チップ、メディア関連、薄型テレビの導光板など広汎な応用が考えられる本技術の実用化に共同で取り組む企業との共同研究が可能である。
●研究者
准教授 三田 吉郎
大学院工学系研究科 電気系工学専攻
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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