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整理番号 3353   (公開日 2006年06月29日) (カテゴリ 素材情報・通信エレクトロニクス
金属基板上への高品質単結晶半導体成長
●内容 今日の情報化社会の基礎となるエレクトロニクスは半導体の原子が規則正しく並んだ半導体単結晶基板の上に回路を刻み込んで製造されている。しかしながら、半導体の単結晶基板には高価である、硬くて脆い、面積が小さいといった問題点があり、素子としての応用範囲が極めて限られていた。最近、神奈川科学技術アカデミー(KAST)と東大は共同で金属の板の上に単結晶と呼べるほど高品質な半導体の薄い膜が成長できることを見出した(図参照)。金属の板には安価で容易に面積を大きくできるという特徴があり、また、熱伝導率や電気伝導率が高い、光反射率が高いといった性質も備えている。これらの特長を生かせば、従来に無い大面積の高性能半導体素子を安価に製造することができると考えられる。この様な金属基板上への高品質単結晶半導体成長技術を基にしたデバイス作製の共同研究を提案する。
●研究者
教授 藤岡 洋
生産技術研究所 物質・環境系部門
●画像


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図 金属板上に成長した窒化ガリウムの電子線回折像
(C) 藤岡 洋
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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