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整理番号 3700   (公開日 2006年12月28日) (カテゴリ 素材エレクトロニクス
近接場光アシストクリーニング
●内容 この研究室では、ナノ構造の近接領域のみに存在する“近接場光”に着目し、従来の全ての光技術の限界である回折限界を打破し、波長以下のナノ領域に展開する“ナノフォトニクス”の研究を進めている。このナノフォトニクスを応用すると “近接場光アシストクリーニング”への応用が可能となる。

(技術解説)
特定の寸法を持つ微粒子に対して、共鳴する波長の光を照射すると、近接場光の脱離効果により、微粒子を基板から脱離させることが可能である(図1参照)。この効果を微粒子堆積に適用すると、照射する波長によって、堆積される微粒子の寸法を制御することが可能となる(図2参照)。

(優位性)
基板洗浄後のプロセス過程において付着するゴミにより、歩留まりの低下が問題となっている。これに対して、上記手法を適用し、プロセス中に光を照射するだけで、基板に残るゴミを選択的に脱離する(洗浄)ことが可能となるので、歩留まりの大幅な向上が可能となる。

この研究に興味ある企業などとの共同研究を希望する。
●研究者
特任研究員 大津 元一
大学院工学系研究科 電気系工学専攻
●画像


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図1 近接場脱離原理図
(C) 大津元一

図2 近接場脱離効果により粒径を制御して堆積された亜鉛微粒子
(C) 大津元一
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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