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整理番号 3834   (公開日 2007年03月23日) (カテゴリ 素材エレクトロニクス
シンクロトロン放射X線を用いた小角・広角散乱法によるナノ・サブナノ構造
●内容 高輝度のシンクロトロン放射X線を利用する小角・広角散乱法はナノ・サブナノ構造の解析に適し、このためのX線散乱像計測システムを開発した。これは、X線結晶構造解析には向かない非晶質や不規則な系の解析に適している。 また、斜入射小角X線散乱(GISAXS:Glazing Incidence Small-angle X-ray Scattering)により、基盤上の薄膜や物体の表面・界面のナノ構造のその場観察が可能である。
さらに、ビーム径がマイクロメーター程度のX線を用いることにより、ミクロンオーダの場所的不均一性を有するサンプルの解析にも対応でき、サンプルにストレス(温度、磁場、電場、機械的刺激、ミクシング等)を与えた直後に起きる動的構造をミリ秒、マイクロ秒スケールで観察できる。
この装置での解析が生かせるサンプル(液晶、高分子、脂質、油脂等のソフト材料が望ましい)を持つ企業との共同研究を希望している。
●研究者
特任教授 雨宮 慶幸
大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻
大学院工学系研究科 物理工学専攻
●画像


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マイクロビーム小角X線散乱の模式図
X線集光素子を用いてX線のビーム径をマイクロメーター程度にして、試料のサブナノ構造(広角散乱)、ナノ構造(小角散乱)の場所的不均一性を観察する。試料に延伸などの外場を加えた際の構造変化などのその場観察も可能である。
(C) 雨宮慶幸
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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