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| ●内容 | この研究室では、自ら提案・開発した化合物半導体を空間反転させた構造を自在に作製する技術（副格子交換エピタキシー）を用いて、AlGaAs系擬似位相整合型波長変換デバイスのプロトタイプの作製に成功している。副格子交換エピタキシーの技術を活用した以下のデバイスに関して共同研究を行いたい。 (1)AlGaAs系周期分極反転構造を用いた波長変換デバイスの開発 (2)窒化物系半導体周期空間反転構造を用いた深紫外光発生波長変換デバイスの開発 (3)空間反転構造を活かしたその他の応用・新しいデバイスの提案ならびに開発 |
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| ●研究者 |
教授
近藤 高志
先端科学技術研究センター 研究部 |
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●画像
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タイトル：高効率波長変換デバイスの構成 周期反転AlGaAsを高屈折率差導波路に組み込むことによって、従来のデバイスと比較して二桁以上も高効率な波長変換が実現できる。 (C) 近藤高志 |
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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