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整理番号 4299   (公開日 2008年01月10日) (カテゴリ 素材情報・通信エレクトロニクス
室温で量子効果を発現する良質な金属超薄膜を用いたデバイスの開発
〜半導体基板上の量子金属超薄膜〜
●内容 この研究室では、シリコンなどの半導体基板に単原子レベルで平坦な金属超薄膜(銀など)を1〜数ナノメートル(nm)の厚さで作成し、その量子サイズ効果を室温で観測した。さらに半導体基板と金属薄膜の界面及び金属薄膜と外界の界面での1原子層を制御することで、金属薄膜内の電子の運動とスピン状態を変化させることに成功した。室温で量子効果を発現する珍しいこの金属超薄膜は原子・ナノレベルでの配線だけでなく、ナノテクノロジーやスピントロニクスにおけて、量子効果を用いた新しい技術への応用も期待される。本研究室ではそのデバイスの開発に関心を有する企業と共同研究を行う用意がある。
●研究者
准教授 松田 巌
物性研究所 附属極限コヒーレント光科学研究センター
●画像


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半導体基板上金属超薄膜の模式図。本研究室では、厚さ1〜数ナノメートル(nm)の薄膜を自己組織化で作成する。
(C) 松田 巌

(a)Si(001)2×1表面上に作成した数nm厚のAg(111)超薄膜の光電子分光スペクトル。図中Ag(111)表面状態(SS)とAg薄膜の量子井戸状態(QWS)が帰属される。 (b) Ag超薄膜中に閉じ込められた電子(e-)の様子と境界条件。
(C) 松田 巌
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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