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整理番号 442   (公開日 2001年02月01日) (カテゴリ 素材エレクトロニクス
半導体ベースの磁性材料を用いたトンネル磁気抵抗効果素子の開発
●内容 強磁性トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果(TMR)は、ハードディスクのヘッドなどに用いる高感度の磁気センサとして、また不揮発性固体磁気メモリとしての応用が期待される重要かつ興味深い現象である。この研究室では最近、エピタキシャル成長によって、半導体をベースとした単結晶の強磁性トンネル接合を作製し、その抵抗変化率(TMR比)が非常に大きくなることを発見した(低温で72%)。このような半導体ベースのエピタキシャル強磁性トンネル接合の基礎研究と、室温動作など実用化に向けての研究に関して、共同研究を希望している。
●研究者
教授 田中 雅明
大学院工学系研究科 電気系工学専攻
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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