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整理番号 4575   (公開日 2008年10月30日) (カテゴリ 素材エレクトロニクス
非接触型ホール効果測定装置の開発
●内容 この研究室では、テラヘルツ電磁波の偏光を用いてホール効果を非接触で測定する手法を開発した。試料中に磁場を印加しテラヘルツ波を照射すると、キャリア(電子または正孔)はサイクロトロン運動を行い、その結果、透過波の偏光面が回転する。
これまでに、この偏光回転角を高感度に検出する手法を開発した。さらに測定した偏光の回転角と楕円率から、キャリアの濃度、移動度を求めるアルゴリズムも開発している。
この手法では、試料に電極を付ける必要がないこと、即ち非接触での測定が可能であること等の特長を持っている。既にこの方式の有効性を示す実験データも多数取得している。
この非接触型THzホール効果測定方式は、半導体基板のキャリア濃度や移動度の測定などへ広く応用が期待できるものである。この装置の製品化に興味を有する企業との共同開発を希望する。

参考文献:Y. Ikebe and R. Shimano
”Characterization of doped silicon in low carrier density region by terahertz frequency Faraday effect”
APPL. PHYS. LETT. vol.92 012111 (2008)
●研究者
教授 島野 亮
低温センター
●画像


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磁場下にある半導体に直線偏光のテラヘルツ波が入射すると、透過波の偏光面が回転する。回転角、楕円率からキャリア濃度、移動度を決定する。
(C) 島野 亮

本装置で測定したシリコンウェハのキャリア濃度。直流のホール測定と完全に一致した結果が得られている。
(C) 島野 亮
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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