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整理番号 4976   (公開日 2009年06月30日) (カテゴリ 環境・エネルギー素材エレクトロニクス
薄膜材料・界面での水素のナノメートル3次元空間分布測定法の応用
●内容 この研究室では、機能性薄膜や界面の開発と分析技術の研究を進めている。近年、高速イオンを用いた軽元素(特に水素)のナノメートルレベルの3次元空間分布測定法を開発した。水素はSiやダイヤモンドなどの半導体・誘電体薄膜の成膜において、重要な役割を果たす。また半導体表面・界面の特性を大きく左右する。水素が重要な問題となるような薄膜材料に関し、企業との共同研究の用意がある。
●研究者
教授 福谷 克之
生産技術研究所 基礎系部門
●画像


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薄膜,界面での水素の挙動と空間分布の模式図
(C) 福谷研究室

シリコン/酸化膜界面の水素分布
表面と界面(深さ12nm)の水素が分離して観測される。
(C) 福谷研究室
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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