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整理番号 5140   (公開日 2009年11月18日) (カテゴリ 環境・エネルギー素材情報・通信エレクトロニクス
鉄シリサイドβ−FeSi2の薄膜作成方法に関する共同研究
●内容 鉄シリサイドβ−FeSi2は、赤外線領域(波長1.2μm付近)において高い光吸収係数を持ち、Si基板上にエピタキシャル成長が可能であるという特性から、Siを基材とした光デバイスや高効率太陽電池への応用が期待されている。しかし、これまで試みられたβ−FeSi2薄膜生成方法では、コストが高く大規模な生成が困難である上、得られる膜厚も非常に薄く太陽電池生産には適していなかった。
この研究室では、溶融塩―Si交換反応を用いて薄膜を生成する方法を考案した。この方法によれば、Si基板全面に良質なβ−FeSi2単層薄膜が生成できる(図1にSEMによる試料断面を示す)。
この方法に興味を持つ企業などと共同で、薄膜作成技術の一層の改良とデバイスへの応用などについて研究を進めたい。
●研究者
教授 森田 一樹
大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻
生産技術研究所 附属サステイナブル材料国際研究センター
●画像


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図1 薄膜のSEM画像およびX線解析結果
溶融塩-Si交換反応を利用し、最後に熱処理を加えることにより、Si基板上へのβ-FeSi2薄膜作製に成功した。
(C) 森田一樹

図2 薄膜のEPMAによる面分析結果
試料表面にβ-FeSi2が生成し、β-FeSi2層中にNiが存在していることが判明した。従って、NiCl2を用いることによるNiドーピングの可能性が示唆された。
(C) 森田一樹
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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