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整理番号 5175   (公開日 2009年12月01日) (カテゴリ 素材機械エレクトロニクス
半導体デバイス作製用各種薄膜形成の反応機構の解析と応用
●内容 この研究室では、高集積化された半導体デバイス製作用の各種薄膜形成に関する反応機構の解析を主テーマとして、反応条件や装置条件の最適化を図る研究を進めている。具体的には、(1)ULSI多層配線用金属薄膜CVDプロセス、(2)ULSI用低誘電率層間絶縁膜CVDプロセス、(3)化合物半導体デバイス作製プロセス、(4)超臨界流体を利用した薄膜作製プロセス、の各テーマを推進中である。近年のCVD装置のコンピュータ制御の進展等により、装置内で起こる化学反応への関心と理解の空洞化を危惧しているところである。上記に関わる課題における関連装置技術者・デバイス技術者等との共同研究を希望し、具体的課題の提案を期待している。
●研究者
教授 霜垣 幸浩
大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻
●画像


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超臨界流体薄膜作製プロセスにより形成したCu膜の極微細ビア構造への埋め込み状況
(C) 霜垣研究室
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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