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整理番号 5514   (公開日 2010年08月11日) (カテゴリ エレクトロニクス
トランジスタ応用を目指したグラフェン転写技術の開発
●内容 グラファイトの単層であるグラフェンは、Siの200倍もの移動度ゆえ世界中(特に米国)でトランジスタ応用が期待されている。しかしながら、日本では、あまり各企業がそろって力を入れているという状況ではない。その高移動度はテープによりバルクグラファイトから基板へ転写するという原始的手法によって達成されるが、面積が小さく位置制御できない。一方で、スケールアップが容易な化学気相成長では結晶性が悪く高移動度は得られていない。我々は原点に戻り、個々のデバイスに十分な大きさのグラフェンを指定位置へ配列する転写技術を確立することを目標に、基板表面処理により100倍程度の大型グラフェンを転写することに成功してきた。大面積グラフェンの選択的転写技術の確立を目指し、企業との共同研究を希望している。
●研究者
准教授 長汐 晃輔
大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻
●画像


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大面積のグラフェンが転写可能。
(a)無処理、(b)表面処理後。
(C) 鳥海・喜多・長汐研究室
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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