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整理番号 5525   (公開日 2011年01月05日) (カテゴリ 素材情報・通信エレクトロニクス
高誘電率ゲート絶縁膜材料の新たな展開
●内容 高誘電率ゲート絶縁膜は次世代CMOSの実現に向けて必須の材料である。しかし、従来使われてきたSiO2とは性質が大きく異なり、単に誘電率の違う絶縁膜を用いるということからは想像できない面倒なことを引き起こす。さらに世代が進むにつれて、より高度に制御された高誘電率膜が必要になる。また、高誘電率絶縁膜の利用はSi-CMOSに限られるわけではなく、電界効果トランジスタの高性能化にはいかなる材料であっても必須になってくる。この研究室ではこの10年間、各種の高誘電率絶縁膜を扱ってきており、それぞれの材料に応じて特徴も課題も異なることがわかってきた。高誘電膜材料の新たな展開を含めて共同研究の可能性があれば、その用意がある。
●研究者
教授 鳥海 明
大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻
●画像


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典型的な高誘電率絶縁膜材料であるHfO2にわずかなY2O3をドーピングすることで、HfO2の安定相を変えることで誘電率が劇的に増加することを示す。
(C) 鳥海 明

高誘電率材料を用いたSi-MOSキャパシタのフラットバンド電圧が、高誘電率材料とSi基板上SiO2との界面に形成された電気的双極子層によって大きく影響されていることを示す。
(C) 鳥海 明
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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