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整理番号 5757   (公開日 2010年12月21日) (カテゴリ 素材エレクトロニクス
絶縁体セラミックスに導電性を付与する方法 〜転位構造配列制御による新材料設計〜
●内容 この研究室では、セラミック結晶にナノ量子細線の束を導入することにより、絶縁体セラミックスに導電性を付与する技術を開発している。実験では、代表的な絶縁セラミックスであるサファイアを用い、これを高温、高圧下で処理することにより規則正しい結晶の皺を作り、その中に金属を浸透(拡散)させることにより、直径数nmの金属細線(ナノ量子細線)を1cm2あたり10億本という極めて高い密度で形成することに成功した。この技術の応用としては、導電性を有する超高温・透明材料や各種電子デバイスの開発など、転位構造配列制御という新しい発想に基づく新材料設計が期待できる。具体的な応用を目指した企業との共同研究を希望している。
●研究者
教授 幾原 雄一
大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻
●画像


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転位量子細線の設計
高温変形で導入した高密度転位に金属元素を偏析(パイプ拡散)させることで一方向導電性を発現させることが可能となる。
(C) 幾原 雄一

高密度転位の電子顕微鏡像を電流像
サファイア中に導入された高密度転位とSPMで測定された電流像。
(C) 幾原 雄一
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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