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整理番号 6595   (公開日 2013年08月22日) (カテゴリ 素材エレクトロニクス
格子整合基板を用いた高品質InN薄膜成長
●内容 InNおよびInGaN系単結晶薄膜は環境に負荷のかかるAs系材料を使わずに光通信用赤外半導体レーザーや表示素子用可視光発光ダイオード、高速電子素子などへの応用が可能になるため、大きな注目を集めている。しかし、結晶性が良好で、光学特性や電気特性に優れた薄膜の成長は困難であった。この研究室では、原子オーダーで平坦な格子整合基板を用いてN2プラズマ中でレーザーMBE法によって結晶成長をおこなうことにより、各種酸化物基板上に結晶性の良い無極性及び半極性InN薄膜、InGaN薄膜、InAlN薄膜が成長できることを見出した。このような新しい知見をベースとする高品質InN系薄膜成長の共同研究を提案する。
●研究者
教授 藤岡 洋
生産技術研究所 物質・環境系部門
●画像


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原子オーダーで平坦なステップ基板を用いてInN単結晶薄膜を成長させることに成功。
(C) 尾嶋正治、藤岡 洋
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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