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整理番号 7150   (公開日 2016年06月07日) (カテゴリ バイオテクノロジー医学・薬学農林水産・食品環境・エネルギー素材機械情報・通信エレクトロニクス
シリコン集積回路基板に光回路を集積するゲルマニウム薄膜の欠陥低減技術に関する研究
●内容  シリコン上の電子回路と光回路とを同時に集積した電子光集積に関する研究は、近年急速な進歩を示し、その光素子の研究が盛んである。ゲルマニウムはシリコンと同じ14族元素で有り、CMOS技術に互換性を有する材料であり、これを用いた発光・受光・光変調など素子機能の研究が注目を浴びている。この研究室では、これらのゲルマニウム光素子の研究を進めてきている。特に、歪みゲルマニウムを用いた高速の受光素子、変調素子などの研究は電子光集積回路の基本で有り、これまでにクロック信号を光信号で供給する電子・光集積回路の実現に成功した。
このような素子では欠陥の少ないゲルマニウムが不可欠であるが、通常は転位と呼ばれる欠陥が高密度に存在する(図1)。この研究室では特に欠陥を低減したゲルマニウム(図2)の開発に注力しており、こうした研究に興味をもつ企業などと共同で研究をすすめたい。
●研究者
准教授 石川 靖彦
大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻
●画像


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シリコン基板上の無欠陥化されたゲルマニウム
(C) 石川 靖彦

ゲルマニウムメサアレイ 無転位のゲルマニウム
(C) 石川 靖彦
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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