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整理番号 7307   (公開日 2017年03月31日) (カテゴリ 素材エレクトロニクス
超臨界流体を用いた薄膜作製・ナノ埋め込みプロセスの開発
●内容 超臨界流中における化学反応を利用した金属・金属酸化物薄膜作製法(SCFD; Supercritical Fluid Deposition)は超臨界流体の持つ特異な性質を利用してアスペクト比(溝や孔の縦横比)が100を超える深遠な3次元構造に対し均一な薄膜形成やボイドレス埋め込みが可能である。また、超臨界流体の持つ溶媒能により気相プロセスに比べて低温での薄膜形成が可能である。
当研究室ではこれまでにCu、Ag、Pt、Niなどの純金属薄膜、CuAgなどの合金薄膜、TiO2、SiO2などの単一酸化物薄膜,Bi4Ti3O12、SrRuO3などの複合酸化物薄膜の形成に成功している。また,反応機構解析を通じた埋め込み性の体系的理解、成長速度と埋め込み性の両立に向けたプロセスアセスメント、高い埋め込み性を利用した新規電子デバイスの作製などを進めている。
非常に高い埋め込み性を示す本プロセスは電子デバイスのデザインルールを刷新する可能性を有しており、ULSI、MEMSを始めとする各種電子デバイスへの応用が見込める。本研究に開発・活用に関心のある多様な企業等との共同研究を期待する。
●研究者
教授 霜垣 幸浩
大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻
講師 百瀬 健
大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻
●画像


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極微細孔へのCu埋め込み
超臨界流体製膜法により幅50nm、深さ1umの微細孔(アスペクト比20)に対してボイドレスでCuを埋め込むことに成功している。
(C) 霜垣研究室

微細トレンチへのPt薄膜の均一形成
超臨界流体製膜法により幅0.86um、深さ60umの微細溝(アスペクト比70)に対して均一にPtを形成することに成功している。
(C) 霜垣研究室
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学協創推進本部で骨子をまとめたものです。
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