DUCR
整理番号 775   (公開日 2001年10月01日) (カテゴリ 素材/エレクトロニクス)
LSI微細化限界を打破するためのシリコン・ナノテクノロジーによる新デバイスの研究開発
●内容 近年集積回路の高密度化、高性能化が急激に進み、それを支えるLSI微細化技術が限界レベルにまで到達しようとしている。当研究室ではこの限界を打破するために単電子・量子ドット等新デバイスについてデバイス面から既に多くの検討を進めてきている。これらをさらに実効あるものとするためナノテクノロジー分野に進出しようとしている企業あるいはすでに ノウハウのある企業から材料面での協力を受け,シリコン系の新ナノデバイスを開発したく共同研究を期待する。
●研究者
教授 平本 俊郎
生産技術研究所 情報・エレクトロニクス系部門
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上記内容は、各研究者へのインタビューをもとに東京大学 産学連携本部で骨子をまとめたものです。
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