東京大学産学連携プロポーザル

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    アトムデバイスの開発
    香取 秀俊大学院工学系研究科 物理工学専攻
    この研究室では、固体基板上で原子のコヒーレントな運動制御を行うことにより、電子や光子に比べて豊富な内部自由度をもつ原子を媒介とする量子情報処理系の実現を目指し研究を進めている。これまでに、ガラス基板上に微細加工した電極に交流電圧を印加することで、シュタルク効果を利用するレーザー冷却原子のトラップに成功している。この方式は、電場による制御に基づいているため、磁場による制御とは異なり、電流に伴う発熱などの問題を回避でき、低消費電力・高集積化デバイスの実現が可能となる。今後、この研究成果をもとに、表面原子トラップの集積化による原子輸送・原子メモリ回路等の開発を行い、量子コンピュータへの展開を図りたい。

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    アトムデバイスの開発
    香取 秀俊大学院工学系研究科 物理工学専攻
    この研究室では、固体基板上で原子のコヒーレントな運動制御を行うことにより、電子や光子に比べて豊富な内部自由度をもつ原子を媒介とする量子情報処理系の実現を目指し研究を進めている。これまでに、ガラス基板上に微細加工した電極に交流電圧を印加することで、シュタルク効果を利用するレーザー冷却原子のトラップに成功している。この方式は、電場による制御に基づいているため、磁場による制御とは異なり、電流に伴う発熱などの問題を回避でき、低消費電力・高集積化デバイスの実現が可能となる。今後、この研究成果をもとに、表面原子トラップの集積化による原子輸送・原子メモリ回路等の開発を行い、量子コンピュータへの展開を図りたい。

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