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6G・7G・8G通信材料に向けたTHz時間領域分光によるテラヘルツ屈折率・吸収特性の非破壊評価技術

五月女　真人先端科学技術研究センター高機能材料分野

本研究室では、フェムト秒レーザーを用いたテラヘルツ（THz）時間領域分光法を活用し、シリコン、SiC、GaN、ペロブスカイトなどの半導体基板の屈折率とキャリア密度を非破壊かつ接触レスで評価する実験を行っており、その実験を装置構築からワンストップで行う技術を有しています。従来の接触型ホール測定法や光吸収法では困難だった「絶縁性基板」「ドーピング量の空間分布」などのキャリア密度に関する情報やテラヘルツ帯の屈折率スペクトルを、広帯域THz複素屈折率スペクトルとして取得可能です。特に以下の点が特徴です：テラヘルツ屈折率・キャリア濃度・移動度などを、同一装置で同時取得可能数100μmスケールでの空間分解測定が可能薄膜のテラヘルツ電気伝導性の評価（キャリア密度・移動度など）への応用これまで、化合物半導体・有機半導体・有機強誘電体・有機非線形光学結晶・ポリマー・プラスチックなどで分光測定を行った実績があります。さまざまな材料に対応しています。非接触・非破壊・迅速な評価が求められる研究開発・品質管理現場への応用が期待されます。