スピントランジスタの研究
カテゴリー
- 素材
- エレクトロニクス
SDGs
研究内容
スピントランジスタは、スピン依存伝導特性（磁化の向きにより伝達特性が大きく変わる）とトランジスタとしての動作（スイッチ機能、増幅機能）を合わせ持つデバイスであり、この研究室ではこれまでいくつかのスピントランジスタを提案し理論解析を行うとともに、高密度不揮発性メモリや再構成可能な論理回路に応用できることを示してきた。中でも Si-LSIテクノロジーと整合性の良いMOSFET型はたいへん有望と考えられる。ス
連携への希望
スピントランジスタとその集積回路応用について、作製プロセス技術やデバイス評価技術を含む実用化に向けての研究に関して、共同研究を希望している。
公開日 / 更新日
- 2021年12月25日
識別番号
- No. 00195-01